"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Релаксация фазы и локализация электронов в n-GaAs и n-InP вблизи перехода металл--диэлектрик
Воронина Т.И., Емельяненко О.В., Дахно А.Н., Лагунова Т.С., Старосельцева С.П., Чугуева З.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.