Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур
Попов В.М.1
1Научно-исследовательский институт микроприборов, НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Предложен метод определения диффузионной длины неосновных носителей заряда Lde в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур. Метод позволяет исключить влияние объемной генерации в полупроводнике на Lde и снизить температуру измерений. Показана возможность исследования эффективного профиля Lde в приповерхностном слое полупроводника при неоднородном распределении электрически активных дефектов по глубине материала. Исследованы значения Lde в МДП структурах на кремнии, применяемых в технологии интегральных схем. Рассмотрено влияние внутреннего геттерирования дефектов в кремнии и облучения МДП структур низкоэнергетическими электронами (10-30 кэВ) на эффективные профили Lde в приповерхностном слое полупроводника.
- A.M. Goodman, L.A. Goodman, H.F. Gossenberger. RCA Rev., 44, 326 (1983)
- D.K. Schroder. Meas. Sci. Technol., 12, R16 (2001)
- D.E. Ioannou, C.A. Dimitriadis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 445 (1982)
- J.P. Boyeaux, F. Laugier. Rev. Phys. Appliq., Suppl., N 6, 24, C6-111(1989).
- R.J. Dery, J.P. Spoonhower. Rev. Sci. Instrum., 55, 1343 (1984)
- A. Sanders, M. Kunst. Sol. St. Electron., 34, 1007 (1991)
- M.C. Schubert, J. Isenberg, W. Warta. J. Appl. Phys., 94, 4139 (2003)
- M. Zerbst. Zeits. Angev. Phys., 22, 30 (1966)
- D.K. Schroder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 1018 (1972)
- D.K. Schroder, J.D. Whitfield, C.J. Varker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 462 (1984)
- D.K. Schroder. Sol. St. Electron., 27, 247 (1984)
- Z. Radzimsky, E. Gaylord, J. Honeycutt, G.A. Rozgonyi. J. Electrochem. Soc., 135, 2597. (1988)
- P. Peykov, M. Aceves. Superficies y Vacio, 17, 29 (2004)
- D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (Hoboken, New Jersey, J. Wiley and Sons, Inc., 2006) p. 434
- В.П. Захаров, В.М. Попов. Микроэлектроника, 5, 164 (1976)
- V.M. Popov, A.P. Pokanevich, A.I. Panin. Nucl. Instr. Meth. B, 186, 88 (2002)
- В.М. Попов. Оптоэлектр. полупр. техника, 20, 12 (1991)
- В.М. Попов. Микроэлектроника, 6, 269 (1977)
- В.П. Захаров, В.М. Попов. Микроэлектроника, 10, 280 (1981)
- K.S. Rabbani, D.R. Lamb. Sol. St. Electron., 21, 1171 (1978)
- J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 19, 153 (1976)
- J. Batista, A. Mandelis, D. Schaughnessy. Appl. Phys. Lett., 82, 4077 (2003)
- K. Kanaya, S. Okayama. J. Phys. D: Appl. Phys., 5, 43 (1972)
- P.C. Phua, K.S. Ong. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-49, 2036 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
