Влияние нейтронного облучения на структуру кремниевых диффузионных p-n-переходов ограничителей напряжения
Рахматов А.З.1
1OOO "FOTON", Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
-1 Проанализировано изменение вольт-фарадных характеристик p-n-переходов с линейным или близким к нему распределением нескомпенсированного заряда под воздействием нейтронного облучения. Подтверждено, что в результате такого воздействия вблизи p-n-перехода образуется область с собственной проводимостью. Получены эмпирические формулы, описывающие зависимость размеров этой области, а также эффективного градиента концентрации нескомпенсированного заряда от флюенса нейтронов в широком диапазоне начальных значений (до воздействия нейтронов) градиента концентраций (от 3·1018 до 2·1020 см-4) и исходных значений удельного сопротивления кремния (от 0.3 до 2 Ом·см).
- В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980) с. 136
- M. Buchler. Proc. IEEE, 56 (10), 111 (1968)
- Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978) с. 67,
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969) c. 245
- G. Martin, M. Buchler. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-17, 391 (1970)
- Н.Н. Сирота, В.А. Бржезинский, В.Г. Дюков, Г.В. Коршунов. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 4, 106 (1966)
- Т.С. Емельянова, Е.А. Кожухова, В.И. Шаховцов. В кн. Физические процессы в кристаллах с дефектами (Киев, ИФ АН УССР, 1972) c. 47
- Л.И. Кузовкина, В.И. Дедесов, Е.В. Лапшина. ФТП, 9, 1168 (1975)
- А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова. ФТП, 47 (3), 364 (2013)
- Е.З. Мазель, Ф.П. Пресс. Планарная технология кремниевых приборов (M., Энергия, М., 1974)
- Л. Россадо. Физическая электроника и микроэлектроника (M., Высш. школа, 1991) с. 333
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, с. 86
- C. Opdorp. Solid-State Electron., 11, 397 (1968)
- G.C. Messenger. In: Report Intern. Symp. Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse, 1967)
- М.Ю. Ташметов, А.З. Рахматов, Л.С. Сандлер, Н.Б. Исматов. Препринт ИЯФ АН РУз, Р-9-700 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
