"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si
Солован М.Н.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Гетеропереход n-CdO/p-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия (n-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении 3kT/e < V <0.5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при V > 0.5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля--Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями.
  1. K.T. Ramakrishna, C. Sravani. J. Cryst. Growth, 184, 1031 (1998)
  2. C. Dantus, G.G. Rusu, M. Dobramir. Appl. Surf. Sci., 255, 2665 (2008)
  3. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 1185 (2013)
  4. T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
  5. S. Aksoy, Y. Caglar. World Academy of Science, Engin. and Technol., 59 2113 (2011)
  6. М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48, 1154 (2012)
  7. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N. Y., 1983)]
  8. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon press, 1974)]
  9. Физико-химические свойства окислов, под. ред. Г.В. Самсонова (М., Металлургия, 1978)
  10. К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокр.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N. Y., 1981)]
  11. В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
  12. V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 024 (2012)
  13. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
  14. P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev. J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
  15. M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II-VI compounds (North-Holland, Amsterdam, 1967)
  16. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
  17. S. Sze. Physics of semiconductor devices, 2nd edn (Wiley, N. Y., 1981)
  18. V.P. Makhniy, S.V. Khusnutdinov, V.V. Gorley. Acta Phys. Polon. A, 116, 859 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.