Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 8 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Гетеропереход n-CdO/p-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия (n-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении 3kT/e < V <0.5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при V > 0.5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями.
- K.T. Ramakrishna, C. Sravani. J. Cryst. Growth, 184, 1031 (1998)
- C. Dantus, G.G. Rusu, M. Dobramir. Appl. Surf. Sci., 255, 2665 (2008)
- М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 1185 (2013)
- T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
- S. Aksoy, Y. Caglar. World Academy of Science, Engin. and Technol., 59 2113 (2011)
- М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48, 1154 (2012)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N. Y., 1983)]
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon press, 1974)]
- Физико-химические свойства окислов, под. ред. Г.В. Самсонова (М., Металлургия, 1978)
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокр.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N. Y., 1981)]
- В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
- V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 024 (2012)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
- P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev. J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
- M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II-VI compounds (North-Holland, Amsterdam, 1967)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
- S. Sze. Physics of semiconductor devices, 2nd edn (Wiley, N. Y., 1981)
- V.P. Makhniy, S.V. Khusnutdinov, V.V. Gorley. Acta Phys. Polon. A, 116, 859 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
