Вышедшие номера
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si
Солован М.Н.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Гетеропереход n-CdO/p-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия (n-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении 3kT/e < V <0.5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при V > 0.5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями.