"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
Лукашин В.М.1, Пашковский А.Б.1, Журавлев К.С.2, Торопов А.И.2, Лапин В.Г.1, Голант Е.И.1, Капралова А.А.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Московская область, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами на основе слоев с разными типами легирования, оптимизированными для уменьшения поперечного пространственного переноса электронов и увеличения эффекта размерного квантования. Транзисторы продемонстрировали рост выходной мощности в 2 раза при длине трапециевидного затвора 0.4 - 0.5 мкм и общей ширине затвора транзистора 0.8 мм на частоте 10 ГГц в непрерывном режиме работы. При этом коэффициент усиления превысил 9.5 дБ при удельной выходной мощности более 1.6 Вт/мм и величине кпд по добавленной мощности до 50%. Проведена оценка перспектив развития данного типа приборов.
  • А.А. Кищинский. Матер. 19-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". (Севастополь, Вебер, 2009) с. 11
  • А.А. Кальфа, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 12 (348), 26 (1982)
  • C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Dolos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron. Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
  • M.V. Baeta Moreira, M.A. Py, M. Gailhanou, M. Ilegems. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 103 (1992)
  • C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
  • И.С. Василевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.П. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
  • L.J. Kushner. Microwave J., 87 (1990)
  • TriQuint Semiconductor, Advance Product Information, Sept. 19, 2005 Web: www.triquint.com
  • Н.А. Кувшинова, В.Г. Лапин. В.М. Лукашин, К.И. Петров. Радиотехника, 11, 90 (2011)
  • А.В. Климова, В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский. ФТП, 43, 113 (2009)
  • A.K. Saxena. J. Phys. C, 13, 4322 (1980)
  • З.С. Грибников, О.Э. Райчев. ФТП, 23, 2171 (1989)
  • J. Zou, Z. Abid, H. Dong, A. Gopinath. Appl. Phys. Lett. 58, 2411 (1991)
  • J. Zou, H. Dong, A. Gopinath, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron Dev., ED-39, 250 (1992)
  • Патент РФ на полезную модель N 80069 по заявке N 2008133793. Приоритет от 19.08.2008
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 312
  • А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский. ФТП, 22, 2090 (1988)
  • Н.А. Банов, В.И. Рыжий. Микроэлектроника, 15, 490 (1986)
  • В.А. Николаева, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17, 504 (1988)
  • В.Е. Чайка. Техн. электродинамика, 3, 85 (1985)
  • Я.Б. Мартынов, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 7 (413), 14, (1988)
  • Г.З. Гарбер. Радиотехника и электроника, 48, 125 (2003)
  • V.G. Lapin, A.M. Temnov, K.I. Petrov, V.A. Krasnik. GaAs 2000 Conf. proceedings, Oct. 2--3, 2000
  • В.Г. Лапин, В.А. Красник, К.И. Петров, А.М. Темнов. Матер. 11-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". (Севастополь, Крым, Украина) p. 135
  • К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, А.Б. Соколов, А.И. Торопов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 1 (512), 55 (2012)
  • В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов. Письма ЖТФ, 38 (17), 84 (2012)
  • Y.-E. Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S. Sheppard, P.M. Chavarkar, T. WIsleder, V.K. Mishra, P. Parikh. IEEE Electron Dev. Lett., 25 (3), 117 (2004)
  • Патент РФ N 2463685 по заявке N 2011123071. Приоритет от 07.06.2011
  • А.А. Воробьев, А.В. Галдецкий. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 3 (510), 37 (2011)
  • IEEE Electron Dev. Lett., 33 (9), 1258 (2012)
  • И.А. Баранов, А.В. Климова, Л.В. Манченко, О.И. Обрезан, А.Б. Пашковский. Радиотехника, N 3, 34 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.