Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In_0.7Al_0.3As/In_0.75Ga_0.25As/In_0.7Al_0.3As на подложках GaAs

Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Клочков А.Н.¹, Лаврухин Д.В.¹, Пушкарев С.С.¹, Мальцев П.П.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 сентября 2013 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследовано влияние конструкции метаморфного буфера метаморфных наногетероструктур In_0.7Al_0.3As/In_0.75Ga_0.25As для HEMT на их электрофизические параметры и фотолюминесцентные свойства. Исследуемые гетероструктуры были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100) с использованием линейного или ступенчатого метаморфного буфера In_xAl_1-xAs. В образцах с линейным метаморфным буфером внутрь буфера были введены сбалансированно-рассогласованные сверхрешетки или инверсные ступени. В области энергии фотонов 0.6<homega<0.8 эВ спектры фотолюминесценции для всех образцов идентичны и соответствуют переходам из первой и второй подзон электронов в зону тяжелых дырок в квантовой яме In_0.75Ga_0.25As/In_0.7Al_0.3As. Обнаружено, что ширина на половине высоты соответствующей полосы пропорциональна двумерной концентрации электронов, а интенсивность люминесценции возрастает с увеличением холловской подвижности в гетероструктурах. В диапазоне энергий фотонов 0.8<homega<1.3 эВ, соответствующем рекомбинации носителей в барьерной области InAlAs, обнаружены особенности в спектрах фотолюминесценции. Эти особенности связаны с различием профиля распределения индия в заглаживающих и нижних барьерных слоях образцов, обусловленным различной конструкцией метаморфного буфера.

D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE Int. Electron Dev. Meeting (Washington DC, 2011) 13.6.1
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, Р.М. Имамов, И.А. Субботин, Е.С. Павленко, А.Л. Кванин. Кристаллография, 57 (6), 954 (2012)
G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, Е.А. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, Е.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
X.Z. Shang, Jing Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Solid-State Electron., 51, 85 (2007)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
Y. Takano, K. Kobayashi, H. Iwohori, K. Kuwahara, S. Fuke, S. Shirakata. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2054 (2002)
S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 74 (4), 2760 (1993)
J.M. Gilperez, J.L. Sanchez-Rojas, E. Munoz, E. Calleja, J.P.R. David, M. Reddy, G. Hill, J. Sanchez-Dehesa. J. Appl. Phys., 76 (10), 5931 (1994)
S.K. Brierley, A. Torabi, R.S. Lyman. J. Appl. Phys., 86 (2), 914 (1999)
K. Watanabe, H. Yokoyama. J. Appl. Phys., 86, 4333 (1999)
A. Dodabalapur, K. Sadra, B. Streetman. J. Appl. Phys., 68, 411 (1990)
H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59, 2739 (1991)
G.L. Zhou, W. Liu, M.E. Lin. J. Cryst. Growth, 227--228, 218 (2001)
Н.Г. Яременко, Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов. Радиотехника и электроника, 58 (3), 276 (2013)
M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997)
X.Z. Shang, J. Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Solid-State Electron., 51, 85 (2007)
T. Mishima, M. Kudo, J. Kasai, K. Higuchi, T. Nakamura. J. Cryst. Growth, 201/202, 271 (1999)
X.Z. Shang, S.D. Wu, C. Liu, W.X. Wang, L.W. Guo, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, 1800 (2006)
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, Р.М. Имамов. ФТП, 47 (7), 990 (2013)
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, О.М. Жигалина, Е.А. Климов, В.Г. Жигалина, Р.М. Имамов. ФТП, 47 (4), 510 (2013)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group IV, III--V and II--VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) p. 157
В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных структур (М., Логос, 2000)
J. Hellara, K. Borgi, H. Maaref, V. Souliere, Y. Monteil. Mater. Sci. Engin. C, 21, 231 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель