Вышедшие номера
Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром
Грабов В.М.1, Демидов Е.В.1, Комаров В.А.1, Матвеев Д.Ю.1, Николаева А.А.2, Маркушевс Д.1, Константинов Е.В.1, Константинова Е.Е.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Инстутут электронной инженерии и нанотехнологии им. Д. Гицу, МД- Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 5 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных явлений в монокристаллических и блочных пленках висмута, легированного теллуром, в интервале температур 77-300 K, в диапазоне толщин пленок 0.1-1 мкм. Показано, что в исследованных пленках концентрация носителей заряда не зависит от толщины, рассеяние носителей заряда осуществляется на фононах, поверхности пленок, дефектах структуры и границах кристаллитов. Величины и соотношение перечисленных вкладов в ограничение подвижности носителей заряда зависит от содержания теллура, толщины пленки, а также их монокристаллического или блочного состояния.