Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
Измерялись спектры пропускания (при температуре T=1.7 K) тонких пластин "чистого" объемного GaAs, выращенного методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии, при оптической накачке в полосу основного состояния серии экситона. Обнаружено возрастание амплитуды и ширины линии при накачке без заметных изменений спектрального положения максимума линии, подобное наблюдавшемуся при накачке в континуум, но с несколько меньшим темпом возрастания. Оценка концентрации экситонов, рождаемых в результате накачки, позволяет определить константу экситон-экситонного взаимодействия и сравнить с известными данными. Применение метода интегрального поглощения позволяет также уточнить константы взаимодействия экситонного поляритона со свободными носителями заряда и с примесью. Измерено дифференциальное фотопоглощение образцов на частоте модуляции подсветки. Полученные спектры модуляционного поглощения показывают связь индуцированного поглощения с образованием дифференциальных спектров.
- Р. Сейсян. Юбилейная конф. Науч.-техн. общества им. А.С. Попова (М., 1990)
- D.S. Chemla, D.A.B. Miller, P.W. Smith. In: Semiconductors and Semimetals, vol. 24 (1988), ch. 5, p. 279
- А.В. Кавокин. http://wmw-magazine.ru, 2002, \#2(6)
- L.V. Butov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 418, 751, (2002)
- R. Butte, G. Christmann, E. Feltin, J.F. Carlin, M. Mosca, M. Ilegems, N. Grandjean. Phys. Rev. B, 73, R 13 371 (2006)
- D. Bajoni. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 313 001 (2012)
- Н.А. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, (4[10]), 1534 (1980)
- V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Technol., 8, 1235 (1993)
- R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov. In: Int. Conf. Excitonic Processes in Condensed Matter (Darwin, 1994)
- Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36 (2), 373 (1994)
- В.А. Кособукин, М.С. Маркосов, Р.П. Сейсян. ФТП, 40 (11), 1321 (2006)
- G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Proc. SPIE, 1985, 794 (1993)
- С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
- Р.П. Сейсян, Г.М. Савченко, Н.С. Аверкиев. ФТП, 46 (7), 896 (2012)
- С.А. Марков, В.А. Кособукин, Р.П. Сейсян. ФТП, 38 (2), 230 (2004)
- С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
- Н.В. Лукьянова, Г.Н. Алиев, Р.П. Сейсян. ФТТ, 40, 869 (1998)
- R.P. Seisyan. Semicond. Sci. Technol., 27, 053 001 (2012)
- В.В. Золотарeв, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (1), 124 (2013)
- Н.Р. Григорьева, А.Ю. Егоров, Д.А. Зайцев, Е.В. Никитина, Р.П. Сейсян. ФТП, 48, в печати (2014)
- C.O. Когновицкий, В.В. Травников, Я. Аавиксоо, И. Рейманд. ФТТ, 39 (6), 1011 (1997)
- A. Schaefer, D.G. Steel. Phys. Rev. Lett., 79 (24). 4870 (1997)
- L. Schulties, J. Kuhl, A. Honold, C.W. Tu. Phys. Rev. Lett., 57 (13), 1635 (1986)
- Я. Аавиксоо, И.Я. Рейманд, В.В. Россин, В.В. Травников. ФТТ, 33 (8), 2409 (1991)
- Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
- A.B. Варфоломеев, P.П. Сейсян, Ю.Л. Шелехин. ФТП, 10, 1063 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
