"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к n+-Si
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Пилипенко В.А.2, Петлицкая Т.В.2, Анищик В.А.3, Болтовец Н.С.4, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Виноградов А.О.1, Шере мет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Республика Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при T=450oС в течение 10 мин в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+-Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами, подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления rhoc(T). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости rhoc, составляет ~5·109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
  • S.M. Sze, K.Ng Kwok. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. (John Wiley and Sons, 2007) chap. 3, p. 134-196
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  • E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1988) chap. 3, p. 89
  • В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
  • Л.Д. Буйко, В.П. Лесникова, В.А. Пилипенко, В.В. Рожков. Электрон. техн. Сер. 6. Материалы, 2, 16 (1984)
  • В.А. Пилипенко. Быстрые термообработки в технологии СБИС (Минск, Изд. центр БГУ, 2004) гл. 8, с. 352
  • Ю.Л. Красулин. Взаимодействие металла с полупроводником в твердой фазе (M., Наука, 1971)
  • A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. SPQEO, 13 (4), 436 (2010)
  • A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys, 111 (8), 083 701 (2012)
  • А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет, ФТП, 47 (3), 426 (2013)
  • D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (N.Y., Wiley, 2006) chap. 3, p. 146
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
  • А.В. Саченко. В кн.: Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике, под общ. ред. чл.-корр. НАНУ д.ф.м.н., проф. А.Е. Беляева и д.т.н., проф. Р.В. Конаковой (Харьков, ИСМА, 2011) гл. 5, с. 282
  • А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Саченко, В.Н. Шеремет, А.О. Виноградов. ФТП, 46 (3), 344 (2012)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.