Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к n+-Si
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Республика Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Республика Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при T=450oС в течение 10 мин в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+-Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами, подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления rhoc(T). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости rhoc, составляет ~5·109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
- S.M. Sze, K.Ng Kwok. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. (John Wiley and Sons, 2007) chap. 3, p. 134-196
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1988) chap. 3, p. 89
- В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
- Л.Д. Буйко, В.П. Лесникова, В.А. Пилипенко, В.В. Рожков. Электрон. техн. Сер. 6. Материалы, 2, 16 (1984)
- В.А. Пилипенко. Быстрые термообработки в технологии СБИС (Минск, Изд. центр БГУ, 2004) гл. 8, с. 352
- Ю.Л. Красулин. Взаимодействие металла с полупроводником в твердой фазе (M., Наука, 1971)
- A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. SPQEO, 13 (4), 436 (2010)
- A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys, 111 (8), 083 701 (2012)
- А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет, ФТП, 47 (3), 426 (2013)
- D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (N.Y., Wiley, 2006) chap. 3, p. 146
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
- А.В. Саченко. В кн.: Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике, под общ. ред. чл.-корр. НАНУ д.ф.м.н., проф. А.Е. Беляева и д.т.н., проф. Р.В. Конаковой (Харьков, ИСМА, 2011) гл. 5, с. 282
- А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Саченко, В.Н. Шеремет, А.О. Виноградов. ФТП, 46 (3), 344 (2012)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
