"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора
Каримов А.В.1, Ёдгорова Д.М.1, Абдулхаев О.А.1
1Физико-технический институт Научно-производственного объединения "Физика--Солнце" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Приведены типичные данные параметров исследуемых образцов полевых транзисторов с длинным каналом, результаты измерений их функциональных характеристик, а также рассмотрены возможные распределения подвижности носителей заряда по толщине канала. Проведен теоретический анализ вольт-амперных характеристик длинноканальных полевых транзисторов с произвольным профилем легирования и с градиентом подвижности носителей заряда, а также с учетом насыщения скорости носителей заряда.
  • А.В. Каримов. Электрон. техн., сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 5, 93 (1990)
  • A.N. Aleshin, J.Y. Lee, S.W. Chu, J.S. Kim, Y.W. Park. Appl. Phys. Lett., 84 (26), 5383 (2004)
  • R.R. Bokemuehl. IEEE Trans. Electron. Dev., N 10, 31 (1963)
  • С.Б. Бурзин, Н.В. Гуминов, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (4), 243 (2007)
  • С.Б. Бурзин, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (5), 472 (2007)
  • Патент РУз N IAP 04059. А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Х.Н. Бахранов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова, Ш.А. Хайдаров. Расмий ахборотнома, N 2 (2009)
  • Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, N 6, 47 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.