Предложена новая безвакуумная технология и впервые получены анизотипные фоточувствительные гетеропереходы собственный окисел одного из узкозонных полупроводников А^IIIB^V - бинарного соединения p-GaSb(Ox)/n-GaSb. В основу развитого технологического процесса положено приповерхностное термическое взаимодействие кристалла GaSb c компонентами нормальной воздушной атмосферы земного шара. На основании проведенных в работе оригинальных физико-технологических исследований взаимодействия в системе GaSb/(воздушная среда земного шара) установлено, что полученные таким образом пленки собственного окисла p-GaSb(Ox) проявляют высокую адгезию по отношению к поверхности исходного антимонида галлия n-GaSb. В представленной работе впервые выполнены измерения стационарных вольтамперных характеристик и спектральных зависимостей относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетеропереходов p-GаSb(Ox)/n-GaSb, на основании которых обсуждаются закономерности токопереноса и фоточувствительности. В выполненной работе впервые обнаружена и реализована новая возможность применения процесса безвакуумного термического окисления пленок GaSb при создании фотодетекторов оптического излучения на подложках из гомогенных кристаллов антимонида галлия n-GaSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.