Вышедшие номера
Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
Кудряшов Д.А.1, Гудовских А.С.1,2, Никитина Е.В.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Проведен расчет конструкции двух и трех переходных солнечных элементов на основе GaPNAs/Si решеточно-согласованных гетероструктур. Показано, что двухпереходные солнечные элементы, состоящие из перехода на основе твердого раствора GaPNAs с шириной запрещенной зоны 1.78 эВ и перехода на основе Si, могут достигать кпд 30.3% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 35.4 % при AM1.5D 20 Вт/см2. Максимальные значения кпд трехпереходного солнечного элемента, состоящего из верхнего и среднего перехода на основе GaPNAs с Eg 2 и 1.5 эВ соответственно и нижнего перехода на основе Si, составляют 39.2% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 44.5% при AM1.5D 50 Вт/см2. Показано влияние толщины и времени жизни неосновных носителей заряда фотоактивных слоев на эффективность преобразования солнечной энергии разрабатываемых гетероструктур.