Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм
Шамахов В.В.1, Николаев Д.Н.1, Лютецкий А.В.1, Бахвалов К.В.1, Шашкин И.С.1, Растегаева М.Г.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены 2 типа лазерных гетероструктур - без компенсации внутренних напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями из твердого раствора AlGaAs (тип 1), и лазерные гетероструктуры с компенсацией напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями AlGaAsP (тип 2). Изготовлены линейки лазерных диодов шириной 5 мм и коэффициентом заполнения 24%, излучающие на длине волны 850 нм. Исследованы их мощностные характеристики в непрерывном и импульсном режимах генерации. Показано, что линейки лазерных диодов на основе структуры типа 2 обладают лучшей линейностью ватт-амперных характеристик в непрерывном и импульсном режимах генерации по сравнению с линейками лазерных диодов на основе структуры типа 1.
- K. Shighara, Y. Nagai, S. Karadida, A. Takami, Y. Kokubo, H. Matsubara, S. Kakimoto. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1537 (1991)
- А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т, Микаелян. Квант. электрон., 42(1), 15 (2012)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (10), 1344 (2012)
- Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, В.В. Шамахов, К.В. Бахвалос, В.В. Васильева, Л.С. Вавилова, М.Г. Ратегаева, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (8), 1078 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
