Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
2НИК "Ускоритель" ННЦ "Харьковский физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2НИК "Ускоритель" ННЦ "Харьковский физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 21 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Впервые изучено влияние тормозного гамма-нейтронного облучения (эффективная энергия Eeff = 8 МэВ) флюенсами 1012-1013 н/см2 на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe. Даже при максимальном флюенсе облучения обнаружены улучшение их вольт-амперных характеристик, рост напряжения холостого хода при незначительном уменьшении тока короткого замыкания. Существенных изменений спектрального контура фотоответа в целом не установлено. В то же время даже начальная стадия облучения вызвала сильную деградацию параметров тестовых кремниевых солнечных элементов. Данный факт позволяет рекомендовать исследуемые фотодиоды для использования в качестве радиационно стойких фотодетекторов.
- V.M. Koshkin, Yu.P. Dmitriev. Chem. Rev., 19 (2), 1 (1994)
- K.A. Askerov, M.G. Bektashi, V.I. Gadzhiyeva, D.Sh. Abdinov. 19th Int. Conf. on Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 2006) [Proc. SPIE, 6636, 66360C-1 (2007)]
- К.А. Аскеров, А.З. Абасова, Ф.К. Исаев. Прикл. физика, 4, 94 (2004)
- 3.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 5, 47 (2005)
- З.Д. Ковалюк, О.А. Политанская, О.Н. Сидор, В.Т. Маслюк. ФТП, 42 (11), 1321 (2008)
- Z.D. Kovalyuk, O.A. Politanska, V.G. Tkachenko, I.N. Maksymchuk, V.V. Dubinko, A.I. Savchuk. J. Nucl. Mater., 385, 489 (2009)
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (10), 2000 (1977)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, гл. 2, с. 95
- П.И. Савицкий, З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский. Неорг. матер., 32 (4), 405 (1996)
- В.И. Стриха, С.С. Кильчицкая. Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник (СПб., Энергоатомиздат, 1991) гл. 1, с. 10
- V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B, 47, 101 (1978)
- M.Z. Zarbaliyev, I.H. Mutlu. Rad. Eff. Def. Solids, 161 (11), 665 (2006)
- K.A. Askerov, A.Z. Abasova, F.K. Isayev. 17th Int. Conf. Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 2002) [Proc. SPIE, 5126, 483 (2003).]
- Б. Келли. Радиационное повреждение твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
- К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов (М., Атомиздат, 1979)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
- Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986) гл. 2, с. 47
- К.А. Аскеров. Физика, 2 (2), 19 (1996)
- Р.Ю. Алиев, Д.И. Караев, К.А. Аскеров. Физика, 2 (3), 32 (1996)
- Р.Ю. Алиев, К.А. Аскеров. Прикл. физика, 3, 78 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
