Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура n-TiN/n-Si
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 14 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Изготовлены гетероструктуры n-ТiN/n-Si методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурная зависимость высоты потенциального барьера и последовательное сопротивление гетероперехода. Построена энергетическая диаграмма исследуемых гетеропереходов. Оценена концентрация поверхностных состояний гетероперехода, которая составляет 2.67·1013 см-2. Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереходы n-ТiN/n-Si при прямых и обратных смещениях хорошо описываются в рамках туннельной и эмиссионной моделей.
- S. Kadelec, J. Musil, J. Vyskocil. Surf. Coat. Technol., 54--55, 287 (1992)
- G. Gagnon, J.F. Currie, C. Beique, J.L. Brebner, S.G. Gujrathi, L. Onllet. J. Appl. Phys., 75, 1565 (1994)
- T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya. Solar Energy, 85, 1580 (2011)
- C.A.Dimitriadis, J.I. Lee, P. Patsalas, S. Logothetidis, D.H. Tassis. J. Appl. Phys., 85, 4238 (1999)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
- Г.В. Самсонов. Нитриды (Киев, Наук. думка, 1969) с. 133
- Г.П. Лучинский. Химия титана (М., Химия, 1971) с. 168
- Г.В.Самсонов, И.М. Виницкий. Тугоплавкие соединения (М., Металлургия, 1976)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N. Y., 1983)]
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокращениями: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N. Y., 1981)]
- В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46, 1175 (2012)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
- М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорган. матер., 48, 1154 (2012)
- В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
- P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (New Jersey, Wiley, 2007)
- М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, в печати (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
