Вышедшие номера
Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe
Сенокосов Э.А.1, Чукита В.И.1, Один И.Н.2, Чукичев М.В.3
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко (физико-математический факультет), Тирасполь M, Приднестровская Молдавская республика
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Исследованы особенности перестройки с ростом уровня возбуждения в спектрах катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe. Показано, что с ростом плотности тока возбуждения происходит следующая перестройка в спектрах при 78 K: линия А-экситона - полосы невырожденной электронно-дырочной плазмы и полосы вырожденной электронно-дырочной плазмы.