Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In_0.7Al_0.3As/ In_0.75Ga_0.25As/In_0.7Al_0.3As

Галиев Г.Б.¹, Пушкарёв С.С.^1,2, Васильевский И.С.², Климов Е.А.¹, Клочков А.Н.¹, Мальцев П.П.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 10 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In_0.7Al_0.3As/In_0.75Ga_0.25As/In_0.7Al_0.3As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера In_xAl_1-xAs (Delta x=0.05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100)±0.5^o и разориентированной на 2±0.5^o в направлении [011] подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы.

D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Toraby, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, C. Xu, K.C. Hsien. J. Cryst. Growth, 251, 827 (2003)
D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE International Electron Devices Meeting (Washington DC, December 5--7, 2011) p. 13.6.1
А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев, Ю.В. Федоров. Нано- и микросистемная техника, 10 (147), 14 (2012)
Y. Song, S. Wang, I. Tangring, Z. Lai, M. Sadeghi. J. Appl. Phys., 106, 123 531 (2009)
S.-G. Ihn, S.J. Jo, J.-I. Song. Appl. Phys. Lett., 88, 132 108 (2006)
F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, E.A. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
S.-J. Yu, W.-C. Hsu, Y.-J. Chen, C.-L. Wu. Sol. St. Electron., 50, 291 (2006)
Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-V. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. DiPersio, D. Vignaud, J.-L. Codron. J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003)
W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca, P.S. Lyman, A. Torabi, P.F. Marsh. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1131 (1999)
B.A. Joyce, J.H. Neave, J. Zhang, D.D. Vvedensky et. al. Semicond. Sci. Technol., 5, 1147 (1990)
A.S. Brown, U.K. Mishra, J.A. Henige, M.J. Delaney. J. Appl. Phys., 64, 3476 (1988)
P. Werner, N.D. Zakharov, Y. Chen, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J.F. Klem, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett., 62, 2798 (1993)
R.S. Goldman, H.H. Wieder, K.L. Kavanagh, K. Rammohan, D.H. Rich. Appl. Phys. Lett., 65, 1424 (1994)
Q. Sun, C. Lacelle, D. Morris, M. Buchanan, P. Marshall et al. Appl. Phys. Lett., 59, 1359 (1991)
R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, K. Rammohan, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys., 83, 5137 (1998)
L. Daweritz, C. Muggelberg, R. Hey, H. Kostian, M. Horick. Sol. St. Electron., 37, 783 (1994)
J. Motohisa, C. Tazaki, M. Akabori, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 221, 47 (2000)
Z.M. Wang, L. Daweritz, P. Schutzendube, K.H. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (4), 2204 (2000)
W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Toraby, C.S. Whelan et. al. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) p. 157

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель