Вышедшие номера
Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/ In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As
Галиев Г.Б.1, Пушкарёв С.С.1,2, Васильевский И.С.2, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера InxAl1-xAs (Delta x=0.05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100)±0.5o и разориентированной на 2±0.5o в направлении [011] подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы.