"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций
Кладько В.П.1, Крыштаб Т.Г.1, Свительский А.В.1, Семенова Г.Н.1
1Институт полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Исследовано влияние механической обработки (шлифовки) нерабочей стороны монокристаллических пластин GaAs, легированного теллуром (n~2·1018 см-3), на величину деформаций и спектры фотолюминесценции на рабочей поверхности в зависимости от плотности ростовых дислокаций ND. Показано, что шлифовка приводит к уменьшению интенсивности краевой полосы излучения Ie для пластин с ячеистой дислокационной структурой и увеличению ее интенсивности для бездислокационного материала. Указанная обработка приводила к противоположному поведению примесно-дефектной полосы с энергией максимума излучения hnum=1.24/1.26 эВ (80 K), обусловленного излучательными переходами в комплексах собственный дефект-примесь, т. е. к ее возгоранию для дислокационных образцов при практически неизменном ее состоянии в бездислокационном GaAs. Данное отличие поведения спектров фотолюминесценции авторы связывают с доминирующей ролью исходной дефектной структуры пластин GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.