"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором
Алимов О.М.1, Петров В.В.1, Харченко Т.Д.1, Явид В.Ю.1
1Белорусский государственный университет им. В.И. Ленина,, Минск, Беларусь
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Из анализа процессов радиационного дефектообразования в кристаллах германия, легированных фосфором в присутствии редкоземельного элемента неодима и без него, показано, что наличие неодима в n-Ge приводит к изменению энтальпии и энтропии ионизации основного радиационного дефекта --- комплекса с уровнем, расположенным вблизи Ec-0.20 эВ. Установлено, что изменение энтальпии на 0.03-0.04 эВ, а также более чем шестикратное возрастание энтропии ионизации данного комплекса в образцах с Nd связаны с локальной деформацией решетки вокруг образующихся в процессе облучения дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.