"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм тензоэффекта в n-Si<Mn> при всестороннем гидростатическом сжатии
Абдураимов А.1, Зайнабинидов С.3.1, Тешабаев А.1, Маматкаримов О.О.1, Химматкулов О.1
1Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина, Ташкент, Республика Узбекистан
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.