Проведены исследования влияния структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в пленках a-Si :H и a-Si_1-xN_x : H. Измерены температурные зависимости темновой проводимости образцов, полученных с различными скоростями охлаждения, и построены кривые релаксации. Определены параметры релаксационной кинетики (tau, tau₀, E_tau) для пленок a-Si :H и a-Si_1-xN_x : H. Показано, что микроструктурная неоднородность пленок оказывает существенное влияние на проводимость и релаксационные процессы. Увеличение содержания азота оказывает стабилизирующее воздействие на структуру материала и замедляет процессы релаксации в нем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.