Для создания структур "кремний-на-изоляторе" в кремний внедряли (7/ 8)· 10¹⁷ ионов N⁺ с энергией 135 кэВ. В отличие от обычного метода использованы плотности ионного тока j не более 3/ 5 мкА/см², а подложки предварительно нагревались до T_i= 600/900^oC. Показано, что с увеличением T_i выше 600^oC структура верхнего слоя кремния существенно улучшается, и в результате постимплантационного отжига при 1100/1200^oC в захороненном слое растет монокристаллический alpha-Si₃N₄, ориентированный матрицей. Отмечен эффект ионно-стимулированной кристаллизации нитрида при T_i>~= 700^oC. Подчеркнуто, что использование малых j и предварительного нагрева подложки позволяет преодолеть основной недостаток изолирующих слоев Si₃N₄ - переход в поликристаллическое состояние при отжиге.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.