В диапазоне концентраций двумерного электронного газа n_s от 2· 10¹⁰ до 8· 10¹⁰ см^-2 детально проанализирована экспериментальная зависимость низкотемпературной (4.2 K) подвижности 2МЭГ от n_s в селективно легированных гетероструктурах In_0.53Ga_0.47As/lnP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что качество гетерограницы в большой степени определяет величину низкотемпературной подвижности 2МЭГ в исследованных гетероструктурах. Независимо друг от друга определена концентрация ионизованных дефектов на гетерогранице N_z=(9±3)· 10⁹ см^-2, вносящих существенный вклад в рассеяние при малых n_s и характерные размеры шероховатостей - мелкомасштабных пространственных флуктуаций гетерограницы (высота delta=7-10 Angstrem, размер в плоскости гетерограницы Lambda=~ 50 Angstrem), определяющих подвижность 2МЭГ в исследуемых гетероструктурах при больших n_s.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.