"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев ZnxCdyHg1-x-yTe
Андрухив А.М., Гадаев О.А., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Смирнов В.А., Юлдашев Ш.У., Цидильковский Э.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1992 г.

Исследовалась излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях ZnxCdyHg1-x-yTe (Eg~360 мэВ) n- и p-типа проводимости. В спектрах фотолюминесценции при T=4.2 K вне зависимости от типа проводимости эпитаксиальных слоев наблюдалась примесная полоса излучения, обусловленная акцептором EB=20 мэВ. В спектре фотолюминесценции образца p-типа присутствуют, кроме того, две примесные полосы с акцепторными уровнями EA1=10 и EA2=50 мэВ, которые могут быть связаны с различными зарядовыми состояниями вакансий атомов ртути. Установлено, что при гелиевых температурах межзонная излучательная рекомбинация происходит с участием хвостов плотности состояний. Предполагается, что эти хвосты обусловлены экситонами, локализованными на флуктуациях состава. По положению максимума полосы излучения определен масштаб спада хвоста. Теоретические оценки этой величины, сделанные для четверных твердых растворов, неплохо согласуются с экспериментальными значениями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.