Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптического отражения и дифференциальных холловских измерений исследовалось влияние отжига под анодным окислом толщиной ~100 нм на изменение состава приповерхностной области и процесс конверсии узкозонного полупроводникового соединения p-Cd_xHg_1-xTe при T=175-300^oC. Получены количественные данные по увеличению содержания ртути (уменьшению x) в приповерхностном слое в зависимости от температуры отжига. Обнаруженное различие в величинах x, определенных методами обратного рассеяния и оптического отражения, связывается с появлением в межузлиях решетки Cd_xHg_1-xTe избыточной ртути, которая образуется в результате взаимодействия с элементами соединения на границе раздела. Поверхностный слой толщиной ~20 нм с накопленной межузельной ртутью является диффузионным источником. Ртуть из источника диффундирует в объем p-Cd_xHg_1-xTe в процессе отжига под анодным окислом, в результате чего происходит конверсия типа проводимости с p-типа на n-тип. Для конкретных экспериментальных условий определены параметры диффузии ртути в температурном интервале 200-275^oC. Полученные значения концентрации электронов n=4·10¹⁴-1·10¹⁵ см^-3 и их подвижности mu_n=(1.5-3.6)·10⁵ см²/В · с в конвертированном слое, образовавшемся при отжиге p-Cd_xHg_1-xTe под анодным окислом, соответствуют литературным данным для электрофизических свойств n-Cd_xHg_1-xTe, получаемым отжигом под давлением паров ртути.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.