Исследованы и проанализированы особенности поведения полосы фотолюминесценции тетрагонального ян-теллеровского акцептора Аu⁰_Ga в GaAs при давлениях вдоль оси [001] в диапазоне температур ~2/77 K. Показано, что при не слишком высоких давлениях и температурах до ~25 K ориентация центра в равновесных условиях "заморожена" и может изменяться только благодаря рекомбинационно-стимулированному процессу. При более высоких температурах становится возможной термоактивационная переориентация центров в нейтральном состоянии. Величина постоянной времени этой переориентации при температуре ~35 K и давлениях ниже ~1 кбар составляет 10^-5/2·10^-4 с. Значение константы деформационного потенциала Аu⁰_Ga B_T лежит в интервале -(3/4) эВ, высота потенциального барьера между состояниями центра с различными ориентациями при нулевом и малых давлениях равна (35±7) мэВ и уменьшается при росте давления до ~9 кбар. Определена зависимость параметра выстраивания центров при рекомбинационно-стимулированной переориентации от величины давления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.