Теоретически исследован спектр внутренней квантовой эффективности Q(hnu) структуры металл- полупроводник. Рассмотрение проведено в рамках диффузионно-дрейфового приближения. На границе раздела учтены эмиссия электронов и дырок в металл и поверхностная рекомбинация носителей в модели Шокли-Рида, в общем случае нелинейно зависящая от интенсивности падающего излучения. Выделен характерный масштаб интенсивности I_*, определяющий область, в которой Q не зависит от интенсивности I_i. Масштаб I_* является функцией равновесных концентраций носителей на поверхности, уровня залегания рекомбинационного центра E_t, скоростей рекомбинации на нем, скоростей эмиссии электронов и дырок и дрейфовой скорости электронов у поверхности. При малых интенсивностях (I_i/I_i<<1) получено простое аналитическое выражение для Q(alpha), пригодное для вычисления квантовой эффективности структур на основе широкого класса полупроводниковых материалов. В области ближнего ультрафиолета спектр Q(hnu) воспроизводит особенности немонотонной зависимости alpha(hnu), которые наилучшим образом проявляются при оптимальных значениях концентраций легирующей примеси N_d. Показано, что вклад нелинейных эффектов в Q(alpha) наиболее существен при малом легировании (N_d~10¹⁴ см^-3) и максимальных alpha, а величина эффекта определяется значением E_t и в рассмотренном случае Au-n-GaAs составляет около 20 %.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.