Представлены расчеты температурных зависимостей фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr₂Se₄, выполненные на основе трехцентровой модели компенсированного полупроводника с учетом зависимости глубины залегания одного из центров, расположенного в верхней части запрещенной зоны, от степени магнитного упорядочения материала. Модель хорошо описывает основные особенности экспериментальных зависимостей фотопроводимости кристаллов CdCr₂Se₄<Ga>.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.