Вышедшие номера
Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
Гергель В.А.1, Лукьянченко А.И.1, Соляков А.Н.1, Ильичев Э.А.1, Полторацкий Э.А.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.