"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Моисеев К.Д.1, Прокофьева Н.А.1, Попова Т.Б.1, Сиповская М.А.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs1-x-ySbyPx, полученных методом жидкостной эпитаксии в интервале составов 0.03=< x=<0.26. Из спектральных характеристик фотопроводимости показано, что ширина запрещенной зоны Eg изменяется от 0.41 до 0.52эВ при T=77 К с ростом x от 0.03 до 0.26. Из температурной зависимости коэффициента Холла в нелегированных слоях выявлены два донорных уровня с энергиями активации ED1~=0.002 эВ и ED2~=0.03 эВ. Показано, что легирование теллуром и оловом позволяет получить материал в широком интервале концентраций от 1016 до 1019 см-3. Найдены концентрации атомов Те и Sn в твердой и жидкой фазах и определены их коэффициенты сегрегации: CTe=0.6-0.96, CSn~=0.01.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.