"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
Дроздова И.А.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Шульга Е.П.1, Шейнкман М.К.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Показано, что структура, ответственная за аномальную температурную зависимость проводимости на грани (0001) кристаллов CdS, отсутствует на свежесколотой поверхности и образуется в процессе выдерживания сколотого кристалла как на воздухе, так и в атмосфере инертного газа. Процесс образования структуры является термоактивируемым. Образование структуры начинается, по-видимому, с появления отдельных островков, которые постепенно разрастаются вширь и вглубь и затем перекрываются, образуя сплошной слой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.