Изложена теория инфракрасных фотоприемников на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами, работающих на принципе фотоионизации ям. Рассмотрены эффекты деполяризации в спектрах поглощения ям и показано, что деполяризационный сдвиг максимума спектра и его уширение приводят к немонотонной зависимости обнаружительной способности фотоприемника D^*_lambda от концентрации электронов в ямах. Оптимальная степень заполнения ямы электронами, соответствующая максимуму D^*_lambda, мала и для фотоприемника на длину волны lambda₁=10 мкм составляет Theta~=0.06-0.1. Вычислена концентрационная зависимость температуры перехода в режим ограничения мощности принимаемого излучения флуктуациями фонового излучения и показано, что для оптимизированного по D^*_lambda фоторезистора на lambda₁=10 мкм температура перехода не ниже T=73 K. Время жизни неравновесных электронов определяется однофононными процессами захвата в ямы и составляет tau~=10^-11 с. Коэффициент усиления, а также чувствительность фоторезистора максимальны для структуры, содержащей одну яму.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.