Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней изучались механизм и кинетика образования точечных радиационных дефектов, введенных gamma-квантами ⁶⁰Со в n-Si с широким диапазоном концентрации примесей, а также влияние этих дефектов на время жизни неосновных носителей заряда при высоком и низком уровнях инжекции. Обнаружено, что суммарная скорость введения радиационных комплексов всех типов не чувствительна к присутствию кислорода и донорной примеси в диапазоне концентрации 3· 10¹³- 10¹⁸ см^-3, что свидетельствует о неэффективности примесных механизмов радиационного дефектообразования в n-Si. Установлена взаимосвязь примесного состава n-Si с типом доминирующего радиационного центра рекомбинации неосновных носителей заряда и со скоростью радиационной деградации их времени жизни.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.