"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние радиации на фотоэлектрические параметры фотопреобразователей на основе Ge-Si
Аллахвердиев А.М.1, Бакиров М.Я.1, Мадатов Р.С.1, Кабулов И.А.1
1Сектор радиационных исследований АН АзССР, Баку
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.