"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников CdxHg1-xTe методом эффекта поля в электролите
Перепелкин А.Д.1, Яфясов А.М.1, Божевольнов В.Б.1
1Ленинградскй государственный университет
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Приведены результаты экспериментального исследования электрофизических параметров поверхности и приповерхностного объема полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe в широком диапазоне составов при комнатной температуре методом эффекта поля в электролите. Для области пространственного заряда (ОПЗ) CdxHg1-xTe экспериментально определены законы дисперсии и эффективные массы плотностей состояний разрешенных зон, а также зависимости дифференциальной плотности электронных состояний от энергии в зоне проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.