"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с p-n-переходом в люминесцирующем материале
Гучмазов А.Б.1, Родригес Х.-А.1, Румянцев В.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

На примере AlGaAs-гетероструктур солнечных фотоэлементов (ФЭ) рассматриваются методика построения вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n-перехода и измерение внутреннего коэффициента собирания фотогенерированных носителей (Qi) с использованием только люминесцентных данных (интенсивностей фото- и электролюминесценции) при фотовозбуждении. Сигнал ЭЛ выделяется за счет того, что малая часть гетероструктуры затеняется от возбуждающего излучения и работает как светодиод, в то время как остальная часть работает в режиме холостого хода. Напряжение измеряется в процессе сравнения сигналов ЭЛ исследуемой гетероструктуры и контрольного ФЭ с контактами. Получены аналитические выражения для Qi (в абс. ед.), а также для коэффициента инжекции p-n-перехода и параметра рекомбинационной компоненты ВАХ с использованием интенсивностей ФЛ и ЭЛ (в отн. ед.). Описываемая бесконтактная методика измерений может быть применена при совершенствовании приборных структур с p-n-переходом в люминесцирующем материале, например, AlGaAs-гетероструктур светодиодов, биполярных транзисторов и ФЭ различного назначения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.