"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
Лигачев В.А.1, Филиков В.А.1
1Московский энергетический институт
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Анализируются недостатки широко используемого способа расчета спектров плотности состояний по данным метода постоянного фототока. Предлагается новый алгоритм расчета N(E), основанный на методе регуляризации Тихонова, не требующий предварительных предположений о характере рассчитываемого спектра. Приведены экспериментальные спектры плотности состояний, полученные по новой методике при исследовании серии образцов a-Si : H, приготовленных ВЧ распылением в аргоноводородной атмосфере. Интерпретация полученных результатов связана с изменением концентрации "столбов" в исследованных пленках при различных условиях конденсации a-Si : H.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.