"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550oC
Бабич В.М.1, Баран Н.П.1, Бугай А.А.1, Зотов К.И.1, Ковальчук В.Б.1, Максименко В.М.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Показано, что в процессе длительных отжигов (более 200 ч) в области T=550oC в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, наряду с различными термодонорами также образуются центры акцепторного типа (так называемые центры Si-5K). Установлено, что центры Si-5K имеют симметрию Cs, g-факторы: g1= 1.9989, g2=1.9939, g3= 2.0017 и проявляют свойства электродипольного резонанса. При увеличении температуры отжига до T=650oC в таких кристаллах образуется целый набор акцепторных центров (Si-NK), которые по своим характеристикам подобны центрам Si-5K. Сделан вывод о том, что центры Si-5K, как и центры Si-NK, имеют прямую связь с дислокационными диполями, которые образуются при таких отжигах в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, вследствие преципитации примеси кислорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.