"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4
Абдуллаев А.А.1, Гаджиев А.З.1
1Институт физики Дагенстанского филиала АН СССР, Махачкала
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Исследована роль центров прилипания электронов в формировании низкотемпературных особенностей магнитного полупроводника CdCr2Se4. Показано существенное влияние состояния поверхности на диффузию фотоносителей, возбужденных в приповерхностной области, в объем кристалла и на возникновение долговременной релаксации их.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.