"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
Коршунов Ф.П., Радауцан С.И., Соболев Н.А., Тигиняну И.М., Кудрявцева Е.А., Урсу В.А., Цыпленков И.Н., Ламм В.Н., Шераухов В.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.