Вышедшие номера
Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730-850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
Андреев В.М., Аксенов В.Ю., Казанцев А.Б., Пруцких Т.А., Румянцев В.Д., Танклевская Е.М., Хвостиков В.П.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Приводятся результаты исследований гетеролазеров на основе AlGaAs-гетероструктур с длиной волны генерации 730-850 нм, варьируемой за счет изменения содержания AlAs в одиночной квантовой яме толщиной 150 Angstrem. Структуры выращивались методом низкотемпературной ЖФЭ. Минимальные полученные значения пороговой плотности тока jп. составили 380 А/см2 для lambdaг=760 нм и 120 А/см2 для lambdaг=845 нм при длине резонатора L=700 мкм. В AlGaAs-гетеролазерах с длиной резонатора L < 200 мкм достигнуты рекордные значения пороговой плотности тока (jп=310 А/см2 при L=130 мкм, lambdaг=837 нм, без запыления сколов), что обеспечило получение низких (до 2 мА) абсолютных пороговых токов в лазерах мезаполосковой геометрии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.