Изучены спектры электролюминесценции, внешний квантовый выход излучения и время жизни неравновесных носителей заряда высокоэффективных светодиодов (eta=1-6 %) на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8-2.4 мкм в интервале температур 77/ 300 K. Показано, что в коротковолновых диодах (lambda < 2 мкм) при температурах, близких к 77 K, квантовый выход излучения в основном определяется межзонной и примесной излучательной рекомбинацией на уровни природных акцепторов, в то время как при T > 200 K - конкуренцией излучательной межзонной и безызлучательной СНСС оже-рекомбинации. В длинноволновых диодах (lambda> 2 мкм) квантовый выход излучения во всем интервале температур определяется конкуренцией излучательной и безызлучательной СНСС оже-рекомбинации на квантовых состояниях гетерограницы II типа n-GaSb-n-GaInAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.