Развита теория, описывающая влияние парамагнитных примесных центров на межзонный эффект Фарадея в полупроводниках типа GaAs. Детальные расчеты проведены для случая, когда таким центром является Mn_Ga, связывающий в нейтральном состоянии дырку, обменным образом взаимодействующую с пятью 3d-электронами остова Mn. Показано, что имеющиеся экспериментальные данные по эффекту Фарадея в p-GaAs с концентрацией Mn 5· 10¹⁸ см^-3 при низкой температуре могут быть объяснены в рамках предложенной теории. При 300 K наблюдавшееся дополнительное вращение плоскости поляризации, по-видимому, вызвано сужением запрещенной зоны кристалла вследствие ионизации акцептора Mn.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.