Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и фотолюминесценции исследованы процессы фотохимической перестройки глубоких центров в p-Si : Se. Обнаружен распад донорно-акцепторной пары SeB⁰, сопровождающийся ростом концентраций изолированных центров Se с энергиями ионизации E_c-0.5 и E_c-0.25 эВ. Обсужден возможный механизм перестройки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.