На основе исследования фотопроводимости в двух ортогональных поляризациях света относительно оптической оси кристалла в нелегированных и легированных различными изовалентными и неизовалентными примесями монокристаллах GaSe установлены пути стабилизации коэффициента фотоплеохроизма P_i. Показано, что рост P_i при легировании неизовалентными примесями (Sn) с концентрацией N~= 10¹⁸ см^-3 обусловлен усилением взаимодействий между слоями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.