Вышедшие номера
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
Абдукадыров А.Г., Ивченко Е.Л.
Выставление онлайн: 19 апреля 1990 г.

Рассчитана заселенность локализованных состояний в нелегированном аморфном полупроводнике при низкой температуре в условиях стационарного освещения выше края основного поглощения и при дополнительной ИК подсветке, вызывающей фотовозбуждение из локализованных состояний. Найдена зависимость фотопроводимости от интенсивности ИК излучения.