Рассматривается возможность применения варизонных структур в качестве люминесцентных детекторов импульсного рентгеновского и гамма-излучений в малых объемах полупроводниковых приборов. Показано, что эффективная толщина чувствительной области d_эфф зависит от ряда параметров образца: градиента ширины запрещенной зоны, толщин подложки и варизонного слоя, энергии максимума люминесценции на узкозонной стороне слоя и ширины запрещенной зоны подложки. Удаление части подложки или слоя с узкозонной стороны может быть использовано для регулирования d_эфф в пределах от единиц до десятков мкм Экспериментальные результаты, полученные при импульсном облучении структур Al_xGa_1-xAs/GaAs, легированных кремнием, подтверждают возможность их использования для детектирования коротких (~10^-8 с) гамма-импульсов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.