"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe 2
Мустафаева С.Н.1, Мамедбейли С.Д.1, Асадов М.М.1, Мамедбейли И.А.1, Ахмедли К.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Показано, что спадающая релаксация тока, гистерезис ВАХ и накопление заряда в образцах M--TlGaSe2--M обусловлены протеканием инжекционного тока по состояниям, локализованным в запрещенной зоне монокристраллов. Определены контактная емкость Cc=600 пкФ, область сосредоточения заряда в монокристалле TlGaSe2 dc=1.56· 10-4 см, максимальная плотность накопленного заряда Qmax=2.4· 10-7 Кл/см2, подвижность носителей заряда в запрещенной зоне muf=3.75· 10-4 см2/В· с, а также концентрация ловушек, ответственных за процессы накопления заряда в образцах M--TlGaSe2--M N=1016 см-3.
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 26, 1564 (1990)
  • S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. \it Abstracts 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Yokohama, 1993)p. 281
  • С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, И.А. Мамедбейли. Нерог. матер., 30, 626 (1994)
  • М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
  • Б.Л. Тиман.ФТП, 7, 225 (1973)
  • И.А. Карпович, А.А. Червова, Л.И. Демидова, Е.И. Леонов, В.М. Орлов. Неорг. матер., 8, 70 (1972)
  • А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП, 11, 780 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.