"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe 2
Мустафаева С.Н.1, Мамедбейли С.Д.1, Асадов М.М.1, Мамедбейли И.А.1, Ахмедли К.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Показано, что спадающая релаксация тока, гистерезис ВАХ и накопление заряда в образцах M--TlGaSe2--M обусловлены протеканием инжекционного тока по состояниям, локализованным в запрещенной зоне монокристраллов. Определены контактная емкость Cc=600 пкФ, область сосредоточения заряда в монокристалле TlGaSe2 dc=1.56· 10-4 см, максимальная плотность накопленного заряда Qmax=2.4· 10-7 Кл/см2, подвижность носителей заряда в запрещенной зоне muf=3.75· 10-4 см2/В· с, а также концентрация ловушек, ответственных за процессы накопления заряда в образцах M--TlGaSe2--M N=1016 см-3.
  1. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 26, 1564 (1990)
  2. S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. \it Abstracts 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Yokohama, 1993)p. 281
  3. С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, И.А. Мамедбейли. Нерог. матер., 30, 626 (1994)
  4. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
  5. Б.Л. Тиман.ФТП, 7, 225 (1973)
  6. И.А. Карпович, А.А. Червова, Л.И. Демидова, Е.И. Леонов, В.М. Орлов. Неорг. матер., 8, 70 (1972)
  7. А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП, 11, 780 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.