Исследованы экспериментальные ИК спектры отражения структур, содержащих до 5 полупроводниковых слоев AlGaAs на подложках арсенида галлия, а также диффузионно-легированных и ионно-имплантированных структур кремния. Задача определения профилей концентрации и мольной доли в твердых растворах полупроводниковых структур решалась путем нахождения на ЭВМ набора значений параметров, при которых модельный спектр ИК отражения наименее отличался от измеренного. Полученные результаты для ряда структур сравниваются с данными, полученными другими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.