Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1996, выпуск 10 » Статья стр. 1865
<<<>>>
Исследование контактной разности потенциалов 6 H-SiC p-n-структур, сформированных по различным технологиям
Лебедев А.А.1, Давыдов Д.В.1, Игнатьев К.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
PDF версия
Методом вольт-фарадных характеристик измерены величины контактной разности потенциалов (Ud) 6H-SiC диодов, p-n-переход в которых был сформирован сублимационной, жидкостной либо газофазной эпитаксией. При использовании других измерительных методик и литературных данных определены необходимые параметры и сделан расчет величины Ud как функции концентрации примеси в базе n-типа проводимости. Показано, что наилучшее соответствие эксперимента и теории получено при использовании для расчета величины запрещенной зоны 6H-SiC, равной 2.86 эВ.
  1. J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 32, 339 (1955)
  2. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  3. В.А Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.С. Родкин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 385 (1986)
  4. J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
  5. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1974)
  6. C.G. Garret, W.H. Brattain. Phys. Rev. B, 19, 376 (1970)
  7. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  8. Дж. Блекмор. \it Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  9. W. von Munch. \it Silicon carbide. Landolt-Bournstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (1982) v. 17 a, p. 132
  10. M. Schadt, G. Pensl, R.P. Devaty, W.J. Choyke, R. Stein, D. Stepani. Appl. Phys. Lett., 65, 3120 (1994)
  11. А.А. Лебедев, М.М. Аникин, А.Н. Кузнецов, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1231 (1995)
  12. A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond films and Related Mater., 3, 1393 (1994)
  13. П.А. Иванов. Автореф. канд. дис. (Л., 1990)
  14. S.H. Hagen, A.W.C. van Kemanage, J.W.C. van der Does de Bye. J. Luminesc., 8, 18 (1973)
  15. M. Ikeda, T. Haykava, S. Ymagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys. 50, 8215 (1979)
  16. Г.А. Ломакина. ФТТ, 17, 2725 (1975)
  17. W. Choyke, L. Patrik. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  18. В.И. Санкин. ФТТ, 15, 1820 (1975)
  19. W. Choyke, L. Patrik. Phys. Rev., 105, 1721 (1957)
  20. J.R. Wardrop. J. Appl. Phys., 75, 4548 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme