"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование контактной разности потенциалов 6 H-SiC p-n-структур, сформированных по различным технологиям
Лебедев А.А.1, Давыдов Д.В.1, Игнатьев К.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Методом вольт-фарадных характеристик измерены величины контактной разности потенциалов (Ud) 6H-SiC диодов, p-n-переход в которых был сформирован сублимационной, жидкостной либо газофазной эпитаксией. При использовании других измерительных методик и литературных данных определены необходимые параметры и сделан расчет величины Ud как функции концентрации примеси в базе n-типа проводимости. Показано, что наилучшее соответствие эксперимента и теории получено при использовании для расчета величины запрещенной зоны 6H-SiC, равной 2.86 эВ.
  • J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 32, 339 (1955)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  • В.А Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.С. Родкин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 385 (1986)
  • J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
  • Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1974)
  • C.G. Garret, W.H. Brattain. Phys. Rev. B, 19, 376 (1970)
  • С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  • Дж. Блекмор. \it Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  • W. von Munch. \it Silicon carbide. Landolt-Bournstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (1982) v. 17-=SUP=- a-=/SUP=-, p. 132
  • M. Schadt, G. Pensl, R.P. Devaty, W.J. Choyke, R. Stein, D. Stepani. Appl. Phys. Lett., 65, 3120 (1994)
  • А.А. Лебедев, М.М. Аникин, А.Н. Кузнецов, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1231 (1995)
  • A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond films and Related Mater., 3, 1393 (1994)
  • П.А. Иванов. Автореф. канд. дис. (Л., 1990)
  • S.H. Hagen, A.W.C. van Kemanage, J.W.C. van der Does de Bye. J. Luminesc., 8, 18 (1973)
  • M. Ikeda, T. Haykava, S. Ymagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys. 50, 8215 (1979)
  • Г.А. Ломакина. ФТТ, 17, 2725 (1975)
  • W. Choyke, L. Patrik. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  • В.И. Санкин. ФТТ, 15, 1820 (1975)
  • W. Choyke, L. Patrik. Phys. Rev., 105, 1721 (1957)
  • J.R. Wardrop. J. Appl. Phys., 75, 4548 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.